piezoresistive ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများအဓိကအားဖြင့် piezoresesistiative အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ်အခြေခံသည်။ အဆိုပါ piezoresisties အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုစက်မှုစိတ်ဖိစီးမှုအောက်ရှိပစ္စည်းကိုခုခံနိုင်စွမ်းကိုပြောင်းလဲခြင်းကိုဖော်ပြရန်အသုံးပြုသည်။ Piezoelectric Effectlikronlikliklikric အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုပါ 0 င်သည်။
piezoresisties အကျိုးသက်ရောက်မှုများကိုသတ္တုနှင့် SemiconDuctting Temples.among တွင်တွေ့နိုင်သည်။ Silicon တွင်ပြုလုပ်သော piezoresistor pearicon ၏အဓိကအားဖြင့်ပိုကြီးသည်။ silicon ၏ piezoresisties elements များအသုံးပြုခြင်းသည်အလွန်အဓိပ္ပာယ်ရှိသည်။ ပုံပျက်သောပုံပျက်သောသူသည်၎င်း၏ဘွဲ့နှင့်စပ်လျဉ်း။ ၎င်း၏ဘွဲ့နှင့်စပ်လျဉ်း။ ၎င်း၏ဘွဲ့နှင့်စပ်လျဉ်း။ ၎င်း၏ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် 0 င်ရိုးချိုင့်ဝှမ်းများရွှေ့ပြောင်းခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ conduction band valley.in p-type silicon ၏ပုံသဏ် in ာန်၏ပုံသဏ် in ာန်ပြောင်းလဲခြင်းမှ Mass Mass Mass Silicon သည်ပိုမိုရှုပ်ထွေးလာသည်နှင့်ညီမျှသောအစုလိုက်အပြုံလိုက်ပြောင်းလဲမှုနှင့်အပေါက်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့်အပေါက်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့်အပေါက်များပြောင်းလဲခြင်းနှင့်ညီမျှသောအစုလိုက်အပြုံလိုက်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့်အပေါက်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့်ညီမျှခြင်းနှင့်အပေါက်များပြောင်းလဲခြင်းနှင့်ညီမျှသည်။
ယေဘုယျအားဖြင့် Piezoresistants ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများသည်ယေဘုယျအားဖြင့် Wordscstone တံတားကို ဦး ဆောင်လမ်းပြခြင်းနှင့်ချိတ်ဆက်ထားပါသည်။ အာရုံခံကိရိယာကိုဖိအားပေးသည့်အခါချစ်ပ်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည့်အခါ bridge ကို voltance raction ကို voltaining voltage signal ကိုထည့်သွင်းထားပြီး, လက်ရှိ signal ကို linear မဖြောင့်မတ်ဆုံးမခြင်းကွင်းဆက်က 4-20 မ 0 င်သောဆက်ဆံရေးရှိသည့် input voltage ကိုထုတ်လုပ်သည့် input voltage နှင့်အတူ 4-20 MA ၏ပုံမှန် output signal ကိုထုတ်ပေးသည်။
အဓိကအားဖြင့်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့်တိုင်းတာမှုဆိုင်ရာတိကျမှန်ကန်မှုကိုတိုးတက်စေရန်အပူချိန်ပြောင်းလဲမှု၏သွဇာလွှမ်းမိုးမှုကိုလျှော့ချရန်ဖိအားအာရုံခံကိရိယာသည်အပူချိန်လျော်ကြေးပေးခြင်းများကိုထိန်းသိမ်းရန်အတွက်အပူချိန်လျော်ကြေးအစီအမံများကိုချမှတ်ခြင်းကိုခံစေနိုင်သည်။
Post Time: Apr-03-2022